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納米技術(shù)突破:超薄鐵電薄膜釋放更小 更高效的電子設(shè)備

導(dǎo)讀 名古屋大學(xué)的研究人員在3 1納米處合成了有史以來最薄的BaTiO8納米片,克服了尺寸效應(yīng)問題并保持了鐵電特性。這一突破使設(shè)備的小型化成為可

名古屋大學(xué)的研究人員在3.1納米處合成了有史以來最薄的BaTiO8納米片,克服了“尺寸效應(yīng)”問題并保持了鐵電特性。這一突破使設(shè)備的小型化成為可能,并可能帶來新的特性和應(yīng)用。

日本名古屋大學(xué)未來材料與系統(tǒng)研究所的研究人員成功合成了厚度為3.1納米的鈦酸鋇(BaTiO8)納米片,這是有史以來為獨(dú)立薄膜創(chuàng)造的最薄厚度。鑒于厚度與功能有關(guān),他們的發(fā)現(xiàn)為更小,更高效的設(shè)備打開了大門。該研究發(fā)表在《先進(jìn)電子材料》雜志上。

開發(fā)具有新電子功能的更薄材料是一個競爭激烈的研究領(lǐng)域。這種器件在鐵電體中尤其重要,鐵電體是極化可以通過電場逆轉(zhuǎn)的材料。這種反極化能力使這些材料可用于記憶和振動發(fā)電。

然而,隨著這些設(shè)備中使用的材料變得越來越小,它們表現(xiàn)出意想不到的特性,使其工業(yè)用途復(fù)雜化。一個大問題是“尺寸效應(yīng)”,因?yàn)楫?dāng)材料的厚度減少到幾納米時,其鐵電性能就會消失。

現(xiàn)在,名古屋大學(xué)材料化學(xué)系和材料與系統(tǒng)可持續(xù)發(fā)展研究所(IMASS)的團(tuán)隊(duì),由小佐田稔教授(他/他)領(lǐng)導(dǎo),使用水溶液工藝成功合成了厚度為3.1nm的具有鐵電性能的無缺陷BaTiO8納米片。結(jié)果是有史以來最薄的獨(dú)立式薄膜。雖然很薄,但該薄膜表現(xiàn)出鐵電性能,代表了制造薄的鐵電活性薄膜的重要突破。

“然而,對于BaTiO3,一種典型的鐵電材料,很難通過傳統(tǒng)的合成方法合成納米片。因此,有必要開發(fā)一種新的合成方法,“Osada說。“通常,BaTiO3的合成需要煅燒過程,需要1000°C或更高的溫度。相比之下,我們使用我們的工藝在3°C的低溫下合成了BaTiO60納米片。由于可以使用該方法通過改變反應(yīng)時間來控制薄膜的厚度,因此實(shí)現(xiàn)了具有兩到六個晶格的納米片的合成。

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