來自新加坡麻省理工學院研究與技術聯盟(SMART)低能耗電子系統(tǒng)(LEES) 跨學科研究小組 (IRG)的研究人員，以及麻省理工學院 (MIT) 和國立大學的合作者新加坡國立大學 (NUS) 和南洋理工大學 (NTU) 的研究人員發(fā)現了一種通過使用半導體材料中的固有缺陷來產生長波長(紅、橙和黃)光的新方法，具有作為商業(yè)中直接光發(fā)射器的潛在應用。光源和顯示器。這項技術將是對當前方法的改進，例如，使用磷光體將一種顏色的光轉換為另一種顏色。
氮化銦鎵 (InGaN) LED 是一種 III 族元素氮化物基發(fā)光二極管 (LED)，在二十多年前的 90 年代首次制造，此后不斷發(fā)展變得越來越小，同時變得越來越強大、高效和耐用。今天，InGaN LED 可以在無數工業(yè)和消費用例中找到，包括信號和光通信以及數據存儲——并且在高需求的消費應用中至關重要，例如固態(tài)照明、電視機、筆記本電腦、移動設備、增強(AR) 和虛擬現實 (VR) 解決方案。
對此類電子設備不斷增長的需求推動了 20 多年的研究，以從半導體實現更高的光輸出、可靠性、壽命和多功能性——從而導致需要可以發(fā)出不同顏色光的 LED。傳統(tǒng)上，InGaN 材料已用于現代 LED 以產生紫光和藍光，而磷化鋁鎵銦 (AlGaInP)(一種不同類型的半導體)用于產生紅光、橙光和黃光。這是因為 InGaN 在紅色和琥珀色光譜中的性能較差，這是由于需要更高含量的銦而導致效率降低。
此外，這種具有相當高銦濃度的 InGaN LED 仍然難以使用傳統(tǒng)的半導體結構制造。因此，實現需要所有三種基色光的全固態(tài)白光發(fā)光設備仍然是一個未實現的目標。
標簽：
免責聲明：本文由用戶上傳，與本網站立場無關。財經信息僅供讀者參考，并不構成投資建議。投資者據此操作，風險自擔。 如有侵權請聯系刪除！