ddr內存在一個時鐘脈沖周期內傳輸多少次數據（ddr內存）

關于ddr內存在一個時鐘脈沖周期內傳輸多少次數據，ddr內存這個問題很多朋友還不知道，今天小六來為大家解答以上的問題，現在讓我們一起來看看吧！

1、嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，部分初學者也?？吹紻DR SDRAM，就認為是SDRAM。

2、DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器的意思。

3、DDR內存是在SDRAM內存基礎上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對于內存廠商而言，只需對制造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。

4、 SDRAM在一個時鐘周期內只傳輸一次數據，它是在時鐘的上升期進行數據傳輸；而DDR內存則是一個時鐘周期內傳輸兩次次數據，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數據，因此稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。

5、DDR內存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達到更高的數據傳輸率。

6、 與SDRAM相比：DDR運用了更先進的同步電路，使指定地址、數據的輸送和輸出主要步驟既獨立執(zhí)行，又保持與CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延時鎖定回路提供一個數據濾波信號)技術，當數據有效時，存儲控制器可使用這個數據濾波信號來精確定位數據，每16次輸出一次，并重新同步來自不同存儲器模塊的數據。

7、DDL本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數據，因而其速度是標準SDRA的兩倍。

8、 從外形體積上DDR與SDRAM相比差別并不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。

9、但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個針腳，主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等信號。

10、DDR內存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標準，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標準。

11、 DDR2內存起始頻率從DDR內存最高標準頻率400Mhz開始，現已定義可以生產的頻率支持到533Mhz到667Mhz,標準工作頻率工作頻率分別是200/266/333MHz，工作電壓為1.8V。

12、DDR2采用全新定義的240 PIN DIMM接口標準，完全不兼容于DDR的184PIN DIMM接口標準。

13、 DDR2和DDR一樣，采用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但是最大的區(qū)別在于，DDR2內存可進行4bit預讀取。

14、兩倍于標準DDR內存的2BIT預讀取，這就意味著，DDR2擁有兩倍于DDR的預讀系統命令數據的能力，因此，DDR2則簡單的獲得兩倍于DDR的完整的數據傳輸能力。

15、 DDR2內存技術最大的突破點其實不在于所謂的兩倍于DDR的傳輸能力，而是，在采用更低發(fā)熱量，更低功耗的情況下，反而獲得更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限制。

16、 DDR2顯存可以看作是DDR顯存的一種升級和擴展，DDR2顯存把DDR顯存的“2bit Prefetch(2位預取)”技術升級為“4 bit Prefetch(4位預取)”機制，在相同的核心頻率下其有效頻率比DDR顯存整整提高了一倍，在相同顯存位寬的情況下，把顯存帶寬也整整提高了一倍，這對顯卡的性能提升是非常有益的。

17、從技術上講，DDR2顯存的DRAM核心可并行存取，在每次存取中處理4個數據而非DDR顯存的2個數據，這樣DDR2顯存便實現了在每個時鐘周期處理4bit數據，比傳統DDR顯存處理的2bit數據提高了一倍。

18、相比DDR顯存，DDR2顯存的另一個改進之處在于它采用144Pin球形針腳的FBGA封裝方式替代了傳統的TSOP方式，工作電壓也由2.5V降為1.8V。

19、 由于DDR2顯存提供了更高頻率，性能相應得以提升，但也帶來了高發(fā)熱量的弊端。

20、加之結構限制無法采用廉價的TSOP封裝，不得不采用成本更高的BGA封裝(DDR2的初期產能不足，成本問題更甚)。

21、發(fā)熱量高、價格昂貴成為采用DDR2顯存顯卡的通病，如率先采用DDR2顯存的的GeForce FX 5800/5800Ultra系列顯卡就是比較失敗的產品。

22、基于以上原因，DDR2并未在主流顯卡上廣泛應用 ??復制的答案。

本文分享完畢，希望對大家有所幫助。

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