pmos電流流向（pmos）

關(guān)于pmos電流流向，pmos這個(gè)問(wèn)題很多朋友還不知道，今天小六來(lái)為大家解答以上的問(wèn)題，現(xiàn)在讓我們一起來(lái)看看吧！

1、PMOS管應(yīng)用原理PMOS的工作原理與NMOS相類(lèi)似。

2、因?yàn)镻MOS是N型硅襯底，其中的多數(shù)載流子是空穴，少數(shù)載流子是電子，源漏區(qū)的摻雜類(lèi)型是P型，所以，PMOS的工作條件是在柵上相對(duì)于源極施加負(fù)電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負(fù)電荷電子，而在襯底感應(yīng)的是可運(yùn)動(dòng)的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層，不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響，襯底中感應(yīng)的正電荷數(shù)量就等于PMOS柵上的負(fù)電荷的數(shù)量。

3、當(dāng)達(dá)到強(qiáng)反型時(shí)，在相對(duì)于源端為負(fù)的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經(jīng)過(guò)導(dǎo)通的P型溝道到達(dá)漏端，形成從源到漏的源漏電流。

4、同樣地，VGS越負(fù)(絕對(duì)值越大)，溝道的導(dǎo)通電阻越小，電流的數(shù)值越大。

5、與NMOS一樣，導(dǎo)通的PMOS的工作區(qū)域也分為非飽和區(qū)，臨界飽和點(diǎn)和飽和區(qū)。

6、當(dāng)然，不論NMOS還是PMOS，當(dāng)未形成反型溝道時(shí)，都處于截止區(qū)，其電壓條件是VGSVTP (PMOS)，值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是負(fù)值。

7、PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的器件。

8、PMOS集成電路采用-24V電壓供電。

9、CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。

10、采用直接接口方式，一般CMOS的電源電壓選擇在10～12V就能滿(mǎn)足PMOS對(duì)輸入電平的要求。

11、MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有很高的輸入阻抗，在電路中便于直接耦合，容易制成規(guī)模大的集成電路。

12、各種場(chǎng)效應(yīng)管特性比較在2004年12月的國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)上表示：雙應(yīng)力襯墊(DSL)方法導(dǎo)致NMOS和PMOS中的有效驅(qū)動(dòng)電流分別增加15%和32%，飽和驅(qū)動(dòng)電流分別增加11%和20%。

13、PMOS的空穴遷移率在不使用SiGe的情況下可以提高60%，這已經(jīng)成為其他應(yīng)變硅研究的焦點(diǎn)。

14、PMOS管pmos ? ?PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管 ? 全稱(chēng) ： positive channel Metal Oxide Semiconductor ? 別名 ： positive MOS。

本文分享完畢，希望對(duì)大家有所幫助。

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