雪崩擊穿和齊納擊穿的區(qū)別（雪崩擊穿和齊納擊穿）

關(guān)于雪崩擊穿和齊納擊穿的區(qū)別，雪崩擊穿和齊納擊穿這個(gè)問題很多朋友還不知道，今天小六來為大家解答以上的問題，現(xiàn)在讓我們一起來看看吧！

1、半導(dǎo)體工藝中，由高純度的本征半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜，從而形成不同的形態(tài)。

2、如果摻雜5價(jià)原子因電子數(shù)大于空穴數(shù)即稱為n型半導(dǎo)體，若摻雜3價(jià)原子因電子數(shù)小于空穴數(shù)即稱為p型半導(dǎo)體。

3、空穴和電子都能搬運(yùn)電荷，因而稱載流子。

4、將兩種形態(tài)的半導(dǎo)體相鄰結(jié)合到一起，由于彼此所含電子和空穴數(shù)濃度不同，因而相互擴(kuò)散，由濃度高的向濃度低的地方移動，電子和空穴會在一定時(shí)間內(nèi)相互結(jié)合而消失，以保持中性，這樣形成一段沒有載流子的空間，稱為耗盡層。

5、耗盡層存在電位差，有電場的存在，稱之為內(nèi)電場。

6、在電場的作用下載流子發(fā)生定向移動，稱之為漂移。

7、擴(kuò)散使電場增加，空間電荷范圍加大，而漂移則在減弱空間電荷范圍。

8、這種將pn相鄰結(jié)合到一起制成的晶體結(jié)構(gòu)，稱之為pn結(jié)。

9、pn結(jié)在沒有外力的情況下，處于熱平衡狀態(tài)，這種平衡狀態(tài)是處于動態(tài)之中的，即擴(kuò)散運(yùn)動與漂移運(yùn)行達(dá)成的平衡狀態(tài)。

10、pn結(jié)的外加電壓，如果p端的電位高于n端的電位，這樣的外電電場削弱了內(nèi)電場，有利于多數(shù)載流子的擴(kuò)散,形成從p流向n的電流，稱為正向偏置，反之，載流子則幾乎不發(fā)生移動，稱為反向偏置。

11、反向電壓大于某一值時(shí)，會有導(dǎo)致pn結(jié)擊穿，稱為齊納擊穿或隧道擊穿。

12、另一種情況，是pn結(jié)兩側(cè)的雜質(zhì)濃度過小，在高的反向電壓作用下，引起價(jià)鍵的斷裂，從而使電流成倍增加，稱為電子雪崩現(xiàn)象或雪崩擊穿。

13、pn結(jié)制作成元器件使用就是二極管。

14、pn結(jié)，p區(qū)空穴向n區(qū)擴(kuò)散，n區(qū)電子向p區(qū)擴(kuò)散，在相遇處復(fù)合。

15、p區(qū)空穴擴(kuò)散后留下負(fù)離子，而n區(qū)電子擴(kuò)散后留下正離子，形成由n指向p的內(nèi)電場。

16、正向偏置時(shí)，p區(qū)不斷提供復(fù)合留下的負(fù)離子，n區(qū)則復(fù)合留下的正離子，使得內(nèi)電場范圍縮小，擴(kuò)散運(yùn)動大于漂移運(yùn)動，平衡狀態(tài)發(fā)生破壞，因而有電流的產(chǎn)生。

17、反向偏置，少數(shù)載流子的漂移處于優(yōu)勢，但因少數(shù)載流子濃度太低，引起的反向電流遠(yuǎn)小于正向電流。

18、所以問題關(guān)鍵在于擴(kuò)散與漂移運(yùn)動是否平衡。

19、半導(dǎo)體三極管，存在兩個(gè)pn結(jié)，了解半導(dǎo)體三極管的工作原理就是要了解這兩個(gè)pn結(jié)的平衡狀態(tài)，在發(fā)生什么變化。

20、 晶體管的制作要求，從濃度大小來看，發(fā)射區(qū)最大，集電區(qū)最小。

21、從尺寸看，集電區(qū)最大，基區(qū)最小。

22、如果條件不能滿足，晶體管將無法工作。

本文分享完畢，希望對大家有所幫助。

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