關(guān)于pn結(jié)正向?qū)〞r其內(nèi)外電場方向一致是對是錯，pn結(jié)正向?qū)〞r其內(nèi)外電場方向一致這個問題很多朋友還不知道，今天小六來為大家解答以上的問題，現(xiàn)在讓我們一起來看看吧！
1、PN結(jié)加正向電壓時導(dǎo)通，如果電源的正極接P區(qū)，負極接N區(qū)，外加的正向電壓有一部分降落在PN結(jié)區(qū)，PN結(jié)處于正向偏置。
2、電流便從P型一邊流向N型一邊，空穴和電子都向界面運動，使空間電荷區(qū)變窄，電流可以順利通過，方向與PN結(jié)內(nèi)電場方向相反。
3、拓展資料關(guān)于PN結(jié)采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)（英語：PN junction）。
4、2、特性：從PN結(jié)的形成原理可以看出，要想讓PN結(jié)導(dǎo)通形成電流，必須消除其空間電荷區(qū)的內(nèi)部電場的阻力。
5、很顯然，給它加一個反方向的更大的電場，即P區(qū)接外加電源的正極，N區(qū)結(jié)負極，就可以抵消其內(nèi)部自建電場，使載流子可以繼續(xù)運動，從而形成線性的正向電流。
6、而外加反向電壓則相當于內(nèi)建電場的阻力更大，PN結(jié)不能導(dǎo)通，僅有極微弱的反向電流（由少數(shù)載流子的漂移運動形成，因少子數(shù)量有限，電流飽和）。
7、3、發(fā)展過程：1935年后貝爾實驗室的一批科學(xué)家轉(zhuǎn)向研究Si材料，1940年，用真空熔煉方法拉制出多晶Si棒并且掌握了摻入Ⅲ、Ⅴ族雜質(zhì)元素來制造P型和N型多晶Si的技術(shù)。
8、還用生長過程中摻雜的方法制造出第一個Si的PN結(jié)，發(fā)現(xiàn)了Si中雜質(zhì)元素的分凝現(xiàn)象，以及施主和受主雜質(zhì)的補償作用。
9、?參考資料：百度百科-PN結(jié)。
本文分享完畢，希望對大家有所幫助。
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