韓國研究人員團隊開發(fā)了一種新型存儲設(shè)備，可用于替代現(xiàn)有存儲器或用于實現(xiàn)下一代人工智能硬件的神經(jīng)擬態(tài)計算，因為其處理成本低且功耗超低。
KAIST 電氣工程學院 Shinhyun Choi 教授的研究團隊開發(fā)了具有超低功耗的下一代相變存儲器件，可以取代 DRAM 和 NAND 閃存。該研究發(fā)表在《自然》雜志上。
現(xiàn)有的相變存儲器存在諸如用于制造大規(guī)模器件的昂貴制造工藝以及需要大量電力來運行等問題。為了解決這些問題，Choi教授的研究團隊開發(fā)了一種超低功耗相變存儲器件，通過電形成非常小的納米(nm)級相變燈絲，無需昂貴的制造工藝。這項新開發(fā)的優(yōu)點是不僅處理成本非常低，而且能夠以超低功耗運行。
DRAM 是最常用的存儲器之一，速度非?？?，但具有易失性特征，斷電后數(shù)據(jù)就會消失。 NAND閃存是一種存儲設(shè)備，讀寫速度相對較慢，但它具有非易失性的特性，即使斷電也能保存數(shù)據(jù)。
另一方面，相變存儲器結(jié)合了 DRAM 和 NAND 閃存的優(yōu)點，具有高速和非易失性的特性。因此，相變存儲器作為可以取代現(xiàn)有存儲器的下一代存儲器而受到重視，并且作為模仿人腦的存儲技術(shù)或神經(jīng)形態(tài)計算技術(shù)正在被積極研究。
然而，傳統(tǒng)的相變存儲器件需要大量的功率來運行，這使得制造實用的大容量存儲產(chǎn)品或?qū)崿F(xiàn)神經(jīng)形態(tài)計算系統(tǒng)變得困難。為了最大限度地提高存儲器件運行的熱效率，之前的研究工作主要集中在通過使用最先進的光刻技術(shù)縮小器件的物理尺寸來降低功耗，但它們在以下方面遇到了限制：就實用性而言，功耗的改進程度很小，而成本和制造難度卻隨著每次改進而增加。
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