關(guān)于20ghz八核處理器怎么樣,Intel 80核處理器這個(gè)問(wèn)題很多朋友還不知道,今天小六來(lái)為大家解答以上的問(wèn)題,現(xiàn)在讓我們一起來(lái)看看吧!
1、2008年10月,Intel公開展出首款80核處理器原型:Teraflop Research Chip,它也是Intel公司在“萬(wàn)億級(jí)計(jì)算”研究領(lǐng)域內(nèi)取得的最新成果。
2、 從外觀上看,Teraflop Research Chip封裝和一般的x86處理器要大一些,但核心尺寸也只275mm2,和指甲蓋差不多大??;這款芯片內(nèi)配置了80個(gè)處理器內(nèi)核,默認(rèn)頻率下耗電量只有62W,功耗甚至比目前許多桌面處理器低。
3、當(dāng)然,這個(gè)原型芯片內(nèi)集成的僅是最簡(jiǎn)單的浮點(diǎn)計(jì)算單元,因此芯片規(guī)??梢院苄。瑑H作為研究和展示用途。
4、 Teraflop Research Chip的默認(rèn)運(yùn)行頻率為3.16GHz,此時(shí)它可提供1.01Teraflops的浮點(diǎn)計(jì)算性能,芯片內(nèi)部互連總帶寬為1.62Terabits/s(也就是0.2TB/s)。
5、如果將電壓增加到1.2V,那么Teraflop Research Chip的工作頻率可以提高到5.1GHz,此時(shí)計(jì)算能力達(dá)到1.63Teraflop,不過(guò)功耗也猛增至175W。
6、如加壓至1.25V,芯片頻率將進(jìn)一步提升到5.7GHz,此時(shí)其計(jì)算性能為1.81Teraflop,功耗則達(dá)到265W,其計(jì)算性能非常強(qiáng)悍。
7、 在芯片布局方面,Teraflop Research Chip也非常特殊,它被設(shè)計(jì)成8×10結(jié)構(gòu)的晶體管陣列,每個(gè)基本單元稱為一個(gè)“塊面(Tile)”,塊面包括一個(gè)微小的內(nèi)核(或者是計(jì)算單元)和一個(gè)路由器。
8、其中,內(nèi)核含有一些能夠生成數(shù)據(jù)的簡(jiǎn)單指令,而路由器則負(fù)責(zé)與高速緩存和相鄰塊面的連接。
9、 Teraflop Research Chip的每個(gè)內(nèi)核都擁有256KB高速緩存,不過(guò)它并不是像常規(guī)處理器一樣,以平面方式與CPU核心電路直接集成,而是基于硅核植入(Through silicon Vias)技術(shù)的3維堆疊式內(nèi)存。
10、這項(xiàng)技術(shù)的基本原理是將緩存芯片和CPU芯片疊放在一起,電源和I/O信號(hào)從內(nèi)存穿過(guò)到達(dá)CPU;每個(gè)內(nèi)核都與3維堆疊內(nèi)存直接相連。
11、Teraflop Research Chip的每個(gè)CPU內(nèi)核都配備256KB SRAM高速緩存(累計(jì)有20MB),CPU與SRAM間共有8490個(gè)連接點(diǎn)─由于每個(gè)內(nèi)核都與3維堆疊緩存相連,系統(tǒng)同時(shí)滿足了大容量和低延遲傳輸?shù)囊蟆?/p>
12、研究人員表示,該技術(shù)目前已在小批量生產(chǎn)中實(shí)現(xiàn),下一步的研究計(jì)劃是如何將這套方案推廣到大規(guī)模量產(chǎn)的生產(chǎn)工藝,但我們相信該技術(shù)出現(xiàn)在商用產(chǎn)品中也只是一個(gè)時(shí)間問(wèn)題。
13、 從數(shù)字上看,Teraflop Research Chip的計(jì)算能力堪比現(xiàn)在的頂級(jí)GPU,但實(shí)際上Teraflop Research Chip的用途很有限,因?yàn)樗腃PU內(nèi)核還太簡(jiǎn)單,Intel的下一步目標(biāo)是利用普通內(nèi)核來(lái)代替當(dāng)前設(shè)計(jì)的浮點(diǎn)單元,讓Teraflop Research Chip具有進(jìn)入商業(yè)應(yīng)用的能力,但高功耗顯然將會(huì)是Intel要面臨的第一個(gè)問(wèn)題─Intel以兩個(gè)措施來(lái)應(yīng)對(duì):一是讓閑置的內(nèi)核可以進(jìn)入休眠狀態(tài),由此節(jié)省能源開銷和發(fā)熱量;二就是引入先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝,畢竟Teraflop Research Chip原型只是采用65nm工藝制造,正式商用版本將采用32nm甚至22nm工藝,高功耗和發(fā)熱問(wèn)題可以得到較好的解決。
本文分享完畢,希望對(duì)大家有所幫助。
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