關(guān)于哪類存儲器的存取速度最快，哪種類型的存儲器主要用作緩存存儲器這個問題很多朋友還不知道，今天小六來為大家解答以上的問題，現(xiàn)在讓我們一起來看看吧！
1、SRAM。
2、靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）是隨機存取存儲器的一種。
3、所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。
4、然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失（被稱為volatile memory），這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
5、SRAM主要用于二級高速緩存（Level2 Cache)。
6、它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。
7、與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。
8、SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存（cache）.SRAM也有許多種。
9、擴展資料：SRAM的問題：采用FinFET晶體管的最新CMOS技術(shù)，單元尺寸的效率越來越低。
10、平面到FinFET的轉(zhuǎn)變對SRAM單元的布局效率具有顯著影響。
11、使用FinFET的臨界間距逐漸縮小導(dǎo)致SRAM單元尺寸減小迅速減慢。
12、考慮到對更大的片上SRAM容量的不斷增長的需求，這種情況的時機不會更糟。
13、距離SRAM將占據(jù)DSA處理器大小的情況并不遙遠。
14、2、從正電源通過SRAM單元流到地的漏電流。
15、其中很大一部分原因是亞閾值晶體管泄漏呈指數(shù)級溫度激活，這意味著隨著芯片變熱，它會急劇增加。
16、這導(dǎo)致能量浪費，因為它沒有任何有用的工作。
17、雖然通常稱為靜態(tài)功耗，但這種泄漏也會在SRAM處于有效使用狀態(tài)時發(fā)生，并形成浪費能量的下限。
18、參考資料來源：。
本文分享完畢，希望對大家有所幫助。
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