單片機(jī)（at89c52單片機(jī)）

關(guān)于單片機(jī)，at89c52單片機(jī)這個(gè)問題很多朋友還不知道，今天小六來為大家解答以上的問題，現(xiàn)在讓我們一起來看看吧！

1、AT89C52是一個(gè)低電壓，高性能CMOS 8位單片機(jī)，片內(nèi)含8k bytes的可反復(fù)擦寫的Flash只讀程序存儲器和256 bytes的隨機(jī)存取數(shù)據(jù)存儲器（RAM），器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存儲技術(shù)生產(chǎn)，兼容標(biāo)準(zhǔn)MCS-51指令系統(tǒng)，片內(nèi)置通用8位中央處理器和Flash存儲單元，AT89C52單片機(jī)在電子行業(yè)中有著廣泛的應(yīng)用。

2、編輯本段主要功能特性　　兼容MCS51指令系統(tǒng) 　　2、8k可反復(fù)擦寫(大于1000次）Flash ROM； 　　3、32個(gè)雙向I/O口； 　　4、256x8bit內(nèi)部RAM； 　　5、3個(gè)16位可編程定時(shí)/計(jì)數(shù)器中斷； 　　6、時(shí)鐘頻率0-24MHz； 　　7、2個(gè)串行中斷，可編程UART串行通道； 　　8、2個(gè)外部中斷源，共8個(gè)中斷源； 　　9、2個(gè)讀寫中斷口線，3級加密位； 　　10、低功耗空閑和掉電模式，軟件設(shè)置睡眠和喚醒功能； 　　1有PDIP、PQFP、TQFP及PLCC等幾種封裝形式，以適應(yīng)不同產(chǎn)品的需求。

3、編輯本段引腳功能及管腳電壓　　AT89C52為8 位通用微處理器，采用工業(yè)標(biāo) PDIP封裝的AT89C52引腳圖準(zhǔn)的C51內(nèi)核，在內(nèi)部功能及管腳排布上與通用的8xc52 相同，其主要用于會聚調(diào)整時(shí)的功能控制。

4、功能包括對會聚主IC 內(nèi)部寄存器、數(shù)據(jù)RAM及外部接口等功能部件的初始化，會聚調(diào)整控制，會聚測試圖控制，紅外遙控信號IR的接收解碼及與主板CPU通信等。

5、主要管腳有：XTAL1（19 腳）和XTAL2（18 腳）為振蕩器輸入輸出端口，外接12MHz 晶振。

6、RST/Vpd（9 腳）為復(fù)位輸入端口，外接電阻電容組成的復(fù)位電路。

7、VCC（40 腳）和VSS（20 腳）為供電端口，分別接+5V電源的正負(fù)端。

8、P0~P3 為可編程通用I/O 腳，其功能用途由軟件定義，在本設(shè)計(jì)中，P0 端口（32~39 腳）被定義為N1 功能控制端口，分別與N1的相應(yīng)功能管腳相連接，13 腳定義為IR輸入端，10 腳和11腳定義為I2C總線控制端口，分別連接N1的SDAS（18腳）和SCLS（19腳）端口，12 腳、27 腳及28 腳定義為握手信號功能端口，連接主板CPU 的相應(yīng)功能端，用于當(dāng)前制式的檢測及會聚調(diào)整狀態(tài)進(jìn)入的控制功能。

9、P0 口　　P0 口是一組8 位漏極開路型雙向I/O 口， 也即地址/數(shù)據(jù)總線復(fù)用口。

10、作為輸出口用時(shí)，每位能吸收電流的 　　方式驅(qū)動8 個(gè)TTL邏輯門電路，對端口P0 寫“1”時(shí)，可作為高阻抗輸入端用。

11、 　　在訪問外部數(shù)據(jù)存儲器或程序存儲器時(shí)，這組口線分時(shí)轉(zhuǎn)換地址（低8 位）和數(shù)據(jù)總線復(fù)用，在訪問期間激活內(nèi)部上拉電阻。

12、 　　在Flash 編程時(shí)，P0 口接收指令字節(jié)，而在程序校驗(yàn)時(shí)，輸出指令字節(jié)，校驗(yàn)時(shí)，要求外接上拉電阻。

13、P1 口　　P1 是一個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的8 位雙向I/O 口， P1 的輸出緩沖級可驅(qū)動（吸收或輸出電流）4 個(gè)TTL 邏輯 　　門電路。

14、對端口寫“1”，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作輸入口。

15、作輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉 　　電阻，某個(gè)引腳被外部信號拉低時(shí)會輸出一個(gè)電流(IIL)。

16、 　　與AT89C51 不同之處是，P1.0 和P1.1 還可分別作為定時(shí)/計(jì)數(shù)器2 的外部計(jì)數(shù)輸入（P1.0/T2）和輸入（P1.1/T2EX）， 　　參見表1。

17、 　　Flash 編程和程序校驗(yàn)期間，P1 接收低8 位地址。

18、 　　表.P1.0和P1.1的第二功能 　　引腳號 功能特性 P1.0 T2，時(shí)鐘輸出 P1.1 T2EX（定時(shí)/計(jì)數(shù)器2） P2 口　　P2 是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的8 位雙向I/O 口，P2 的輸出緩沖級可驅(qū)動（吸收或輸出電流）4 個(gè)TTL 邏輯 　　門電路。

19、對端口P2 寫“1”，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作輸入口，作輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號拉低時(shí)會輸出一個(gè)電流(IIL)。

20、 　　在訪問外部程序存儲器或16 位地址的外部數(shù)據(jù)存儲器（例如執(zhí)行MOVX @DPTR 指令）時(shí)，P2 口送出高8 位地址數(shù)據(jù)。

21、在訪問8 位地址的外部數(shù)據(jù)存儲器（如執(zhí)行MOVX @RI 指令）時(shí)，P2 口輸出P2 鎖存器的內(nèi)容。

22、 　　Flash 編程或校驗(yàn)時(shí)，P2亦接收高位地址和一些控制信號。

23、P3 口　　P3 口是一組帶有內(nèi)部上拉電阻的8 位雙向I/O 口。

24、P3 口輸出緩沖級可驅(qū)動（吸收或輸出電流）4 個(gè)TTL 邏 　　輯門電路。

25、對P3 口寫入“1”時(shí)，它們被內(nèi)部上拉電阻拉高并可作為輸入端口。

26、此時(shí)，被外部拉低的P3 口將用上拉電阻輸出電流（IIL）。

27、 　　P3 口除了作為一般的I/O 口線外，更重要的用途是它的第二功能 　　P3 口還接收一些用于Flash 閃速存儲器編程和程序校驗(yàn)的控制信號。

28、RST　　復(fù)位輸入。

29、當(dāng)振蕩器工作時(shí)，RST引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上高電平將使單片機(jī)復(fù)位。

30、ALE/PROG　　當(dāng)訪問外部程序存儲器或數(shù)據(jù)存儲器時(shí)，ALE（地址鎖存允許）輸出脈沖用于鎖存地址的低8 位字 　　節(jié)。

31、一般情況下，ALE 仍以時(shí)鐘振蕩頻率的1/6 輸出固定的脈沖信號，因此它可對外輸出時(shí)鐘或用于定時(shí)目的。

32、要注意的是：每當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時(shí)將跳過一個(gè)ALE 脈沖。

33、 　　對Flash 存儲器編程期間，該引腳還用于輸入編程脈沖（PROG）。

34、 　　如有必要，可通過對特殊功能寄存器（SFR）區(qū)中的8EH 單元的D0 位置位，可禁止ALE 操作。

35、該位置位后，只有一條 　　MOVX 和MOVC指令才能將ALE 激活。

36、此外，該引腳會被微弱拉高，單片機(jī)執(zhí)行外部程序時(shí)，應(yīng)設(shè)置ALE 禁止位無效。

37、PSEN　　程序儲存允許（PSEN）輸出是外部程序存儲器的讀選通信號，當(dāng)AT89C52 由外部程序存儲器取指令（或數(shù) 　　據(jù)）時(shí)，每個(gè)機(jī)器周期兩次PSEN 有效，即輸出兩個(gè)脈沖。

38、在此期間，當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器，將跳過兩次PSEN信號。

39、EA/VPP　　外部訪問允許。

40、欲使CPU 僅訪問外部程序存儲器（地址為0000H—FFFFH），EA 端必須保持低電平（接 　　地）。

41、需注意的是：如果加密位LB1 被編程，復(fù)位時(shí)內(nèi)部會鎖存EA端狀態(tài)。

42、 　　如EA端為高電平（接Vcc端），CPU 則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲器中的指令。

43、 　　Flash 存儲器編程時(shí)，該引腳加上+12V 的編程允許電源Vpp，當(dāng)然這必須是該器件是使用12V 編程電壓Vpp。

44、XTAL1　　振蕩器反相放大器的及內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端。

45、XTAL2　　振蕩器反相放大器的輸出端。

46、編輯本段特殊功能寄存器　　在AT89C52 片內(nèi)存儲器中，80H-FFH 共128 個(gè)單元為特殊功能寄存器（SFE），SFR 的地址空間映象如表2 所示。

47、 　　并非所有的地址都被定義，從80H—FFH 共128 個(gè)字節(jié)只有一部分被定義，還有相當(dāng)一部分沒有定義。

48、對沒有定義的 　　單元讀寫將是無效的，讀出的數(shù)值將不確定，而寫入的數(shù)據(jù)也將丟失。

49、 　　不應(yīng)將數(shù)據(jù)“1”寫入未定義的單元，由于這些單元在將來的產(chǎn)品中可能賦予新的功能，在這種情況下，復(fù)位后這些單 　　元數(shù)值總是“0”。

50、 　　AT89C52除了與AT89C51所有的定時(shí)/計(jì)數(shù)器0 和定時(shí)/計(jì)數(shù)器1 外，還增加了一個(gè)定時(shí)/計(jì)數(shù)器2。

51、定時(shí)/計(jì)數(shù)器2 的控 　　制和狀態(tài)位位于T2CON（參見表3）T2MOD（參見表4），寄存器對（RCAO2H、RCAP2L）是定時(shí)器2 在16 位捕獲方式或16 位 　　自動重裝載方式下的捕獲/自動重裝載寄存器。

52、編輯本段數(shù)據(jù)存儲器　　AT89C52 有256 個(gè)字節(jié)的內(nèi)部RAM，80H-FFH 高128 個(gè)字節(jié)與特殊功能寄存器（SFR）地址是重疊的，也就是高128 　　字節(jié)的RAM 和特殊功能寄存器的地址是相同的，但物理上它們是分開的。

53、 　　當(dāng)一條指令訪問7FH 以上的內(nèi)部地址單元時(shí)，指令中使用的尋址方式是不同的，也即尋址方式?jīng)Q定是訪問高128 字節(jié) 　　RAM 還是訪問特殊功能寄存器。

54、如果指令是直接尋址方式則為訪問特殊功能寄存器。

55、 　　例如，下面的直接尋址指令訪問特殊功能寄存器0A0H（即P2 口）地址單元。

56、 　　MOV 0A0H，#data 　　間接尋址指令訪問高128 字節(jié)RAM，例如，下面的間接尋址指令中，R0 的內(nèi)容為0A0H，則訪問數(shù)據(jù)字節(jié)地址為0A0H， 　　而不是P2 口（0A0H）。

57、 　　MOV @R0，#data 　　堆棧操作也是間接尋址方式，所以，高128 位數(shù)據(jù)RAM 亦可作為堆棧區(qū)使用。

58、 　　·定時(shí)器0和定時(shí)器1： 　　AT89C52的定時(shí)器0和定時(shí)器1 的工作方式與AT89C51 相同。

59、編輯本段片上資源定時(shí)器2　　基本特性： 　　　定時(shí)器2 是一個(gè)16 位定時(shí)/計(jì)數(shù)器。

60、它既可當(dāng)定時(shí)器使用，也可作為外部事件計(jì)數(shù)器使用，其工作方式由特殊功能寄 　　存器T2CON（如表3）的C/T2 位選擇。

61、定時(shí)器2 有三種工作方式：捕獲方式，自動重裝載（向上或向下計(jì)數(shù)）方式和波 　　特率發(fā)生器方式，工作方式由T2CON 的控制位來選擇。

62、 　　定時(shí)器2 由兩個(gè)8 位寄存器TH2 和TL2 組成，在定時(shí)器工作方式中，每個(gè)機(jī)器周期TL2 寄存器的值加1，由于一個(gè)機(jī) 　　器周期由12 個(gè)振蕩時(shí)鐘構(gòu)成，因此，計(jì)數(shù)速率為振蕩頻率的1/12。

63、 　　在計(jì)數(shù)工作方式時(shí)，當(dāng)T2 引腳上外部輸入信號產(chǎn)生由1 至0 的下降沿時(shí)，寄存器的值加1，在這種工作方式下，每個(gè) 　　機(jī)器周期的5SP2 期間，對外部輸入進(jìn)行采樣。

64、若在第一個(gè)機(jī)器周期中采到的值為1，而在下一個(gè)機(jī)器周期中采到的值為0， 　　則在緊跟著的下一個(gè)周期的S3P1 期間寄存器加1。

65、由于識別1 至0 的跳變需要2 個(gè)機(jī)器周期（24 個(gè)振蕩周期），因此，最 　　高計(jì)數(shù)速率為振蕩頻率的1/24。

66、為確保采樣的正確性，要求輸入的電平在變化前至少保持一個(gè)完整周期的時(shí)間，以保證輸 　　入信號至少被采樣一次。

67、 　　捕獲方式： 　　在捕獲方式下，通過T2CON 控制位EXEN2 來選擇兩種方式。

68、如果EXEN2=0，定時(shí)器2 是一個(gè)16 位定時(shí)器或計(jì)數(shù)器， 　　計(jì)數(shù)溢出時(shí)，對T2CON 的溢出標(biāo)志TF2 置位，同時(shí)激活中斷。

69、如果EXEN2=1，定時(shí)器2 完成相同的操作，而當(dāng)T2EX 引 　　腳外部輸入信號發(fā)生1 至0 負(fù)跳變時(shí)，也出現(xiàn)TH2 和TL2 中的值分別被捕獲到RCAP2H 和RCAP2L 中。

70、另外，T2EX 引 　　腳信號的跳變使得T2CON 中的EXF2 置位，與TF2 相仿，EXF2 也會激活中斷。

71、捕獲方式如圖4 所示。

72、 　　自動重裝載（向上或向下計(jì)數(shù)器）方式： 　　當(dāng)定時(shí)器2工作于16位自動重裝載方式時(shí)，能對其編程為向上或向下計(jì)數(shù)方式，這個(gè)功能可通過特殊功能寄存器T2CON 　?。ㄒ姳?）的DCEN 位（允許向下計(jì)數(shù)）來選擇的。

73、復(fù)位時(shí)，DCEN 位置“0”，定時(shí)器2 默認(rèn)設(shè)置為向上計(jì)數(shù)。

74、當(dāng)DCEN 　　置位時(shí)，定時(shí)器2 既可向上計(jì)數(shù)也可向下計(jì)數(shù)，這取決于T2EX 引腳的值，參見圖5，當(dāng)DCEN=0 時(shí)，定時(shí)器2 自動設(shè)置 　　為向上計(jì)數(shù)，在這種方式下，T2CON 中的EXEN2 控制位有兩種選擇，若EXEN2=0，定時(shí)器2 為向上計(jì)數(shù)至0FFFFH 溢 　　出，置位TF2 激活中斷，同時(shí)把16 位計(jì)數(shù)寄存器RCAP2H 和RCAP2L重裝載，RCAP2H 和RCAP2L 的值可由軟件預(yù)置。

75、 　　若EXEN2=1，定時(shí)器2 的16 位重裝載由溢出或外部輸入端T2EX 從1 至0 的下降沿觸發(fā)。

76、這個(gè)脈沖使EXF2 置位，如果 　　中斷允許，同樣產(chǎn)生中斷。

77、 　　定時(shí)器2 的中斷入口地址是：002BH ——0032H 。

78、 　　當(dāng)DCEN=1 時(shí)，允許定時(shí)器2 向上或向下計(jì)數(shù)，如圖6 所示。

79、這種方式下，T2EX 引腳控制計(jì)數(shù)器方向。

80、T2EX 引腳為邏 　　輯“1”時(shí)，定時(shí)器向上計(jì)數(shù)，當(dāng)計(jì)數(shù)0FFFFH 向上溢出時(shí)，置位TF2，同時(shí)把16 位計(jì)數(shù)寄存器RCAP2H 和RCAP2L 重裝 　　載到TH2 和TL2 中。

81、 T2EX 引腳為邏輯“0”時(shí)，定時(shí)器2 向下計(jì)數(shù)，當(dāng)TH2 和TL2 中的數(shù)值等于RCAP2H 和RCAP2L 　　中的值時(shí)，計(jì)數(shù)溢出，置位TF2，同時(shí)將0FFFFH 數(shù)值重新裝入定時(shí)寄存器中。

82、 　　當(dāng)定時(shí)/計(jì)數(shù)器2 向上溢出或向下溢出時(shí)，置位EXF2 位。

83、 　　波特率發(fā)生器： 　　當(dāng)T2CON（表3）中的TCLK 和RCLK 置位時(shí)，定時(shí)/計(jì)數(shù)器2 作為波特率發(fā)生器使用。

84、如果定時(shí)/計(jì)數(shù)器2 作為發(fā)送器或 　　接收器，其發(fā)送和接收的波特率可以是不同的，定時(shí)器1 用于其它功能，如圖7 所示。

85、若RCLK 和TCLK 置位，則定時(shí)器2 　　工作于波特率發(fā)生器方式。

86、 　　波特率發(fā)生器的方式與自動重裝載方式相仿，在此方式下，TH2 翻轉(zhuǎn)使定時(shí)器2 的寄存器用RCAP2H 和RCAP2L 中的16 　　位數(shù)值重新裝載，該數(shù)值由軟件設(shè)置。

87、 　　在方式1 和方式3 中，波特率由定時(shí)器2 的溢出速率根據(jù)下式確定： 　　方式1和3的波特率=定時(shí)器的溢出率/16 　　定時(shí)器既能工作于定時(shí)方式也能工作于計(jì)數(shù)方式，在大多數(shù)的應(yīng)用中，是工作在定時(shí)方式（C/T2=0）。

88、定時(shí)器2 作為波 　　特率發(fā)生器時(shí)，與作為定時(shí)器的操作是不同的，通常作為定時(shí)器時(shí)，在每個(gè)機(jī)器周期（1/12 振蕩頻率）寄存器的值加1， 　　而作為波特率發(fā)生器使用時(shí)，在每個(gè)狀態(tài)時(shí)間（1/2 振蕩頻率）寄存器的值加1。

89、波特率的計(jì)算公式如下： 　　方式1和3的波特率=振蕩頻率/{32*[65536-(RCP2H,RCP2L)]} 　　式中（RCAP2H，RCAP2L）是RCAP2H 和RCAP2L中的16 位無符號數(shù)。

90、 　　定時(shí)器2 作為波特率發(fā)生器使用的電路如圖7 所示。

91、T2CON 中的RCLK 或TCLK=1 時(shí)，波特率工作方式才有效。

92、在 　　波特率發(fā)生器工作方式中，TH2 翻轉(zhuǎn)不能使TF2 置位，故而不產(chǎn)生中斷。

93、但若EXEN2 置位，且T2EX 端產(chǎn)生由1 至0 的 　　負(fù)跳變，則會使EXF2 置位，此時(shí)并不能將（RCAP2H，RCAP2L）的內(nèi)容重新裝入TH2 和TL2 中。

94、所以，當(dāng)定時(shí)器2 作 　　為波特率發(fā)生器使用時(shí)，T2EX 可作為附加的外部中斷源來使用。

95、需要注意的是，當(dāng)定時(shí)器2 工作于波特率器時(shí)，作為定 　　時(shí)器運(yùn)行（TR2=1）時(shí)，并不能訪問TH2 和TL2。

96、因?yàn)榇藭r(shí)每個(gè)狀態(tài)時(shí)間定時(shí)器都會加1，對其讀寫將得到一個(gè)不確定的 　　數(shù)值。

97、 　　然而，對RCAP2 則可讀而不可寫，因?yàn)閷懭氩僮鲗⑹侵匦卵b載，寫入操作可能令寫和/或重裝載出錯(cuò)。

98、在訪問定時(shí)器2 　　或RCAP2 寄存器之前，應(yīng)將定時(shí)器關(guān)閉（清除TR2）。

99、 　　可編程時(shí)鐘輸出： 　　定時(shí)器2 可通過編程從P1.0 輸出一個(gè)占空比為50%的時(shí)鐘信號，如圖8 所示。

100、P1.0 引腳除了是一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的I/O 口外， 　　還可以通過編程使其作為定時(shí)/計(jì)數(shù)器2 的外部時(shí)鐘輸入和輸出占空比50%的時(shí)鐘脈沖。

101、當(dāng)時(shí)鐘振蕩頻率為16MHz 時(shí)，輸 　　出時(shí)鐘頻率范圍為61Hz—4MHz。

102、 　　當(dāng)設(shè)置定時(shí)/計(jì)數(shù)器2 為時(shí)鐘發(fā)生器時(shí)，C/T2（T2CON .1）=0，T2OE （T2MOD.1） =1，必須由TR2（T2CON.2）啟 　　動或停止定時(shí)器。

103、時(shí)鐘輸出頻率取決于振蕩頻率和定時(shí)器2 捕獲寄存器（RCAP2H，RCAP2L）的重新裝載值，公式如下： 　　輸出時(shí)鐘頻率=振蕩器頻率/{4*[65536-(RCP2H,RCP2L)]} 　　在時(shí)鐘輸出方式下，定時(shí)器2 的翻轉(zhuǎn)不會產(chǎn)生中斷，這個(gè)特性與作為波特率發(fā)生器使用時(shí)相仿。

104、定時(shí)器2 作為波特率 　　發(fā)生器使用時(shí)，還可作為時(shí)鐘發(fā)生器使用，但需要注意的是波特率和時(shí)鐘輸出頻率不能分開確定，這是因?yàn)樗鼈兺褂?　　RCAP2L和RCAP2L。

105、UART串口　　AT89C52的UART 工作方式與AT89C51 工作方式相同。

106、時(shí)鐘振蕩器　　AT89C52 中有一個(gè)用于構(gòu)成內(nèi)部振蕩器的高增益反相放大器，引腳XTAL1 和XTAL2 分別是該放大器的輸入端和輸出端。

107、 　　這個(gè)放大器與作為反饋元件的片外石英晶體或陶瓷諧振器一起構(gòu)成自激振蕩器，振蕩電路參見圖10。

108、 　　外接石英晶體（或陶瓷諧振器）及電容CC2 接在放大器的反饋回路中構(gòu)成并聯(lián)振蕩電路。

109、對外接電容CC2 雖 　　然沒有十分嚴(yán)格的要求，但電容容量的大小會輕微影響振蕩頻率的高低、振蕩器工作的穩(wěn)定性、起振的難易程序及溫度穩(wěn) 　　定性，如果使用石英晶體，我們推薦電容使用30pF±10pF，而如使用陶瓷諧振器建議選擇40pF±10pF。

110、 　　用戶也可以采用外部時(shí)鐘。

111、采用外部時(shí)鐘的電路如圖10 右圖所示。

112、這種情況下，外部時(shí)鐘脈沖接到XTAL1 端，即內(nèi)部 　　時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端，XTAL2 則懸空。

113、 　　由于外部時(shí)鐘信號是通過一個(gè)2 分頻觸發(fā)器后作為內(nèi)部時(shí)鐘信號的，所以對外部時(shí)鐘信號的占空比沒有特殊要求，但 　　最小高電平持續(xù)時(shí)間和最大的低電平持續(xù)時(shí)間應(yīng)符合產(chǎn)品技術(shù)條件的要求。

114、編輯本段中斷　　AT89C52 共有6 個(gè)中斷向量：兩個(gè)外中斷（INT0 和INT1），3 個(gè)定時(shí)器中斷（定時(shí)器0、2）和串行口中斷。

115、所有 　　這些中斷源如圖9 所示。

116、 　　這些中斷源可通過分別設(shè)置專用寄存器IE 的置位或清0 來控制每一個(gè)中斷的允許或禁止。

117、IE 也有一個(gè)總禁止位EA， 　　它能控制所有中斷的允許或禁止。

118、 　　注意表5 中的IE.6 為保留位，在AT89C51 中IE.5 也是保留位。

119、程序員不應(yīng)將“1”寫入這些位，它們是將來AT89 系 　　列產(chǎn)品作為擴(kuò)展用的。

120、 　　定時(shí)器2 的中斷是由T2CON 中的TF2 和EXF2 邏輯或產(chǎn)生的，當(dāng)轉(zhuǎn)向中斷服務(wù)程序時(shí)，這些標(biāo)志位不能被硬件清除， 　　事實(shí)上，服務(wù)程序需確定是TF2 或EXF2 產(chǎn)生中斷，而由軟件清除中斷標(biāo)志位。

121、 　　定時(shí)器0 和定時(shí)器1 的標(biāo)志位TF0 和TF1 在定時(shí)器溢出那個(gè)機(jī)器周期的S5P2 狀態(tài)置位，而會在下一個(gè)機(jī)器周期才查 　　詢到該中斷標(biāo)志。

122、然而，定時(shí)器2 的標(biāo)志位TF2 在定時(shí)器溢出的那個(gè)機(jī)器周期的S2P2 狀態(tài)置位，并在同一個(gè)機(jī)器周期內(nèi) 　　查詢到該標(biāo)志。

123、編輯本段低功耗模式空閑節(jié)電模式　　在空閑工作模式狀態(tài)， CPU 自身處于睡眠狀態(tài)而所有片內(nèi)的外設(shè)仍保持激活狀態(tài)，這種方式由軟件產(chǎn)生。

124、此時(shí)，同 　　時(shí)將片內(nèi)RAM 和所有特殊功能寄存器的內(nèi)容凍結(jié)。

125、空閑模式可由任何允許的中斷請求或硬件復(fù)位終止。

126、 　　由硬件復(fù)位終止空閑狀態(tài)只需兩個(gè)機(jī)器周期有效復(fù)位信號，在此狀態(tài)下，片內(nèi)硬件禁止訪問內(nèi)部RAM，但可以訪問端 　　口引腳，當(dāng)用復(fù)位終止空閑方式時(shí)，為避免可能對端口產(chǎn)生意外寫入，激活空閑模式的那條指令后一條指令不應(yīng)是一條對 　　端口或外部存儲器的寫入指令。

127、掉電模式　　在掉電模式下，振蕩器停止工作，進(jìn)入掉電模式的指令是最后一條被執(zhí)行的指令，片內(nèi)RAM 和特殊功能寄存器的內(nèi) 　　容在終止掉電模式前被凍結(jié)。

128、退出掉電模式的唯一方法是硬件復(fù)位，復(fù)位后將重新定義全部特殊功能寄存器，但不改變RAM 　　中的內(nèi)容，在Vcc恢復(fù)到正常工作電平前，復(fù)位應(yīng)無效，且必須保持一定時(shí)間以使振蕩器重啟動并穩(wěn)定工作。

129、編輯本段編程和加密Flash存儲器的編程　　AT89C52單片機(jī)內(nèi)部有8k字節(jié)的Flash PEROM，這個(gè)Flash 存儲陣列出廠時(shí)已處于擦除狀態(tài)（即所有存儲單元的內(nèi)容 　　均為FFH），用戶隨時(shí)可對其進(jìn)行編程。

130、編程接口可接收高電壓（+12V）或低電壓（Vcc）的允許編程信號。

131、低電壓編程模 　　式適合于用戶在線編程系統(tǒng)，而高電壓編程模式可與通用EPROM 編程器兼容。

132、 　　AT89C52 單片機(jī)中，有些屬于低電壓編程方式，而有些則是高電壓編程方式，用戶可從芯片上的型號和讀取芯片內(nèi)的 　　簽名字節(jié)獲得該信息。

133、 　　AT89C52 的程序存儲器陣列是采用字節(jié)寫入方式編程的，每次寫入一個(gè)字節(jié)，要對整個(gè)芯片內(nèi)的PEROM 程序存儲器 　　寫入一個(gè)非空字節(jié)，必須使用片擦除的方式將整個(gè)存儲器的內(nèi)容清除。

134、編程方法　　編程前，須按表9 和圖11 所示設(shè)置好地址、數(shù)據(jù)及控制信號， AT89C52 編程方法如下： 　　1． 在地址線上加上要編程單元的地址信號。

135、 　　2． 在數(shù)據(jù)線上加上要寫入的數(shù)據(jù)字節(jié)。

136、 　　3． 激活相應(yīng)的控制信號。

137、 　　4． 在高電壓編程方式時(shí)，將EA/Vpp 端加上+12V 編程電壓。

138、 　　5． 每對Flash 存儲陣列寫入一個(gè)字節(jié)或每寫入一個(gè)程序加密位，加上一個(gè)ALE/PROG 編程脈沖。

139、每個(gè)字節(jié)寫入周期 　　是自身定時(shí)的，通常約為1.5ms。

140、重復(fù)1—5 步驟，改變編程單元的地址和寫入的數(shù)據(jù)，直到全部文件編程結(jié)束。

141、程序存儲器的加密　　AT89C52 有3 個(gè)程序加密位，可對芯片上的3 個(gè)加密位LBLB2、LB3 進(jìn)行編程（P）或不編程（U）來得到。

142、 　　當(dāng)加密位LB1 被編程時(shí)，在復(fù)位期間，EA 端的邏輯電平被采樣并鎖存，如果單片機(jī)上電后一直沒有復(fù)位，則鎖存起的 　　初始值是一個(gè)隨機(jī)數(shù)，且這個(gè)隨機(jī)數(shù)會一直保存到真正復(fù)位為止。

143、為使單片機(jī)能正常工作，被鎖存的EA 電平值必須與該引 　　腳當(dāng)前的邏輯電平一致。

144、此外，加密位只能通過整片擦除的方法清除。

145、數(shù)據(jù)查詢　　AT89C52 單片機(jī)用Data Palling 表示一個(gè)寫周期結(jié)束為特征，在一個(gè)寫周期中，如需讀取最后寫入的一個(gè)字節(jié)，則讀出的數(shù)據(jù)的最高位（P0.7）是原來寫入字節(jié)最高位的反碼。

146、寫周期完成后，所輸出的數(shù)據(jù)是有效的數(shù)據(jù)，即可進(jìn)入下一個(gè)字節(jié)的寫周期，寫周期開始后，Data Palling 可能隨時(shí)有效。

147、 　　Ready/Busy：字節(jié)編程的進(jìn)度可通過“RDY/BSY 輸出信號監(jiān)測，編程期間，ALE 變?yōu)楦唠娖健癏”后，P3.4（RDY/BSY）端電平被拉低，表示正在編程狀態(tài)（忙狀態(tài)）。

148、編程完成后，P3.4 變?yōu)楦唠娖奖硎緶?zhǔn)備就緒狀態(tài)。

149、 　　程序校驗(yàn)：如果加密位LBLB2 沒有進(jìn)行編程，則代碼數(shù)據(jù)可通過地址和數(shù)據(jù)線讀回原編寫的數(shù)據(jù)，采用如圖12的電路。

150、加密位不可直接校驗(yàn)，加密位的校驗(yàn)可通過對存儲器的校驗(yàn)和寫入狀態(tài)來驗(yàn)證。

151、 　　芯片擦除：利用控制信號的正確組合（表6）并保持ALE/PROG 引腳10mS 的低電平脈沖寬度即可將PEROM 陣列（4k字節(jié)）和三個(gè)加密位整片擦除，代碼陣列在片擦除操作中將任何非空單元寫入“1”，這步驟需再編程之前進(jìn)行。

152、 　　讀片內(nèi)簽名字節(jié)：AT89C52 單片機(jī)內(nèi)有3 個(gè)簽名字節(jié)，地址為030H、031H 和032H。

153、用于聲明該器件的廠商、型號和編程電壓。

154、讀AT89C52 簽名字節(jié)需將P3.6 和P3.7 置邏輯低電平，讀簽名字節(jié)的過程和單元030H、031H 及032H 的正常校驗(yàn)相仿，只返回值意義如下： 　　（030H）=1EH 聲明產(chǎn)品由ATMEL公司制造。

155、 　?。?31H）=52H 聲明為AT89C52 單片機(jī)。

156、 　?。?32H）=FFH 聲明為12V 編程電壓。

157、 　?。?32H）=05H 聲明為5V 編程電壓。

本文分享完畢，希望對大家有所幫助。

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