關(guān)于雪崩擊穿和齊納擊穿那個(gè)可逆，雪崩擊穿和齊納擊穿這個(gè)問(wèn)題很多朋友還不知道，今天小六來(lái)為大家解答以上的問(wèn)題，現(xiàn)在讓我們一起來(lái)看看吧！
1、半導(dǎo)體工藝中，由高純度的本征半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜，從而形成不同的形態(tài)。
2、如果摻雜5價(jià)原子因電子數(shù)大于空穴數(shù)即稱(chēng)為n型半導(dǎo)體，若摻雜3價(jià)原子因電子數(shù)小于空穴數(shù)即稱(chēng)為p型半導(dǎo)體。
3、空穴和電子都能搬運(yùn)電荷，因而稱(chēng)載流子。
4、將兩種形態(tài)的半導(dǎo)體相鄰結(jié)合到一起，由于彼此所含電子和空穴數(shù)濃度不同，因而相互擴(kuò)散，由濃度高的向濃度低的地方移動(dòng)，電子和空穴會(huì)在一定時(shí)間內(nèi)相互結(jié)合而消失，以保持中性，這樣形成一段沒(méi)有載流子的空間，稱(chēng)為耗盡層。
5、耗盡層存在電位差，有電場(chǎng)的存在，稱(chēng)之為內(nèi)電場(chǎng)。
6、在電場(chǎng)的作用下載流子發(fā)生定向移動(dòng)，稱(chēng)之為漂移。
7、擴(kuò)散使電場(chǎng)增加，空間電荷范圍加大，而漂移則在減弱空間電荷范圍。
8、這種將pn相鄰結(jié)合到一起制成的晶體結(jié)構(gòu)，稱(chēng)之為pn結(jié)。
9、pn結(jié)在沒(méi)有外力的情況下，處于熱平衡狀態(tài)，這種平衡狀態(tài)是處于動(dòng)態(tài)之中的，即擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與漂移運(yùn)行達(dá)成的平衡狀態(tài)。
10、pn結(jié)的外加電壓，如果p端的電位高于n端的電位，這樣的外電電場(chǎng)削弱了內(nèi)電場(chǎng)，有利于多數(shù)載流子的擴(kuò)散,形成從p流向n的電流，稱(chēng)為正向偏置，反之，載流子則幾乎不發(fā)生移動(dòng)，稱(chēng)為反向偏置。
11、反向電壓大于某一值時(shí)，會(huì)有導(dǎo)致pn結(jié)擊穿，稱(chēng)為齊納擊穿或隧道擊穿。
12、另一種情況，是pn結(jié)兩側(cè)的雜質(zhì)濃度過(guò)小，在高的反向電壓作用下，引起價(jià)鍵的斷裂，從而使電流成倍增加，稱(chēng)為電子雪崩現(xiàn)象或雪崩擊穿。
13、pn結(jié)制作成元器件使用就是二極管。
14、pn結(jié)，p區(qū)空穴向n區(qū)擴(kuò)散，n區(qū)電子向p區(qū)擴(kuò)散，在相遇處復(fù)合。
15、p區(qū)空穴擴(kuò)散后留下負(fù)離子，而n區(qū)電子擴(kuò)散后留下正離子，形成由n指向p的內(nèi)電場(chǎng)。
16、正向偏置時(shí)，p區(qū)不斷提供復(fù)合留下的負(fù)離子，n區(qū)則復(fù)合留下的正離子，使得內(nèi)電場(chǎng)范圍縮小，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)大于漂移運(yùn)動(dòng)，平衡狀態(tài)發(fā)生破壞，因而有電流的產(chǎn)生。
17、反向偏置，少數(shù)載流子的漂移處于優(yōu)勢(shì)，但因少數(shù)載流子濃度太低，引起的反向電流遠(yuǎn)小于正向電流。
18、所以問(wèn)題關(guān)鍵在于擴(kuò)散與漂移運(yùn)動(dòng)是否平衡。
19、半導(dǎo)體三極管，存在兩個(gè)pn結(jié)，了解半導(dǎo)體三極管的工作原理就是要了解這兩個(gè)pn結(jié)的平衡狀態(tài)，在發(fā)生什么變化。
20、 晶體管的制作要求，從濃度大小來(lái)看，發(fā)射區(qū)最大，集電區(qū)最小。
21、從尺寸看，集電區(qū)最大，基區(qū)最小。
22、如果條件不能滿足，晶體管將無(wú)法工作。
本文分享完畢，希望對(duì)大家有所幫助。
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